非常适用于各種電源裝置的PFC電路，可大(dà)幅改善工(gōng)作時效率
全球知(zhī)名半導體(tǐ)制造商(shāng)ROHM開(kāi)發出非常适用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路※1的、第3代SiC(Silicon Carbide:碳化矽)肖特基勢壘二極管(以下(xià)稱SiC-SBD) SCS3系列。

　　本産品采用新結構，不僅繼承了量産中(zhōng)的第2代SiC-SBD所實現的業界最低正向電壓※2(VF=1.35V、25℃)的特性，同時還确保了高抗浪湧電流特性。因此，還可用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路，非常有助于提高應用的效率。
本産品已于2016年3月開(kāi)始出售樣品，計劃于2016年4月開(kāi)始逐步投入量産。前期工(gōng)序的生(shēng)産基地爲ROHM Apollo Co., Ltd. (日本福岡縣)，後期工(gōng)序的生(shēng)産基地爲ROHM Korea Corporation(韓國)。
今後，ROHM将通過擴大(dà)SiC元器件産品的陣容，繼續爲電力電子設備的節能化作出貢獻。
<背景>
近年來，在太陽能發電系統、工(gōng)業用各種電源裝置、電動汽車(chē)及家電等電力電子領域，爲提高功率轉換效率以實現進一(yī)步節能，更高效率的功率元器件産品備受期待。SiC器件與以往的Si器件相比，具有優異的材料特性，在這些領域中(zhōng)的應用日益廣泛。尤其是在服務器等這類要求更高電源效率的設備電源中(zhōng)，SiC-SBD産品因其快速恢複特性可有效提高效率而被用于PFC電路來提高設備效率。在這些用途中(zhōng)，抗浪湧電流※3特性成爲重要的參數。一(yī)直以來，ROHM的第1代、第2代SiC-SBD産品均深獲客戶好評。爲了進一(yī)步擴大(dà)應用範圍，ROHM 采用新産品結構，成功開(kāi)發出保持業界最高水平的低VF特性、并實現高抗浪湧電流特性的産品。

<特点>
1. 保持低VF特性，實現高抗浪湧電流能力
此次開(kāi)發的第3代SiC-SBDSCS3系列，爲實現高抗浪湧電流能力，采用了JBS(Junction Barrier schottky)結構。以往的結構是可有效提高抗浪湧電流能力、并改善洩漏特性的結構，而ROHM的第3代最新産品，不僅具備以往産品的特點，而且還進一(yī)步改善了第2代SiC-SBD所實現的低VF特性，将作爲更高性能的産品大(dà)展身手。